机构

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• OAI收割 [15]

内容类型

• 专利 [13]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2020 [1]
• 2017 [1]
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• 1984 [5]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Manipulating the Ge Vacancies and Ge Precipitates through Cr Doping for Realizing the High-Performance GeTe Thermoelectric Material 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2020, 卷号: 16, 期号: 13 作者:  Shuai, Jing;  Sun, Yang;  Tan, Xiaojian;  Mori, Takao   |  收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2020/12/16 FIGURE-OF-MERIT  ULTRALOW THERMAL-CONDUCTIVITY  POWER-FACTOR ENHANCEMENT  BAND-STRUCTURE  CONVERGENCE  SUPPRESSION  ALLOY  PBTE   Other thermoelectric materials 期刊论文  OAI收割 Advanced Thermoelectrics: Materials, Contacts, Devices, and Systems, 2017, 页码: 371-419 作者:  Qiu, Pengfei;  Shi, Xun;  Chen, Lidong;  Sui, Jiehe;  Li, Jing   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/12/29 Semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1986044492A, 申请日期: 1986-03-04, 公开日期: 1986-03-04 作者:  SATOU NAOSHI;  HIRAO MOTONAO;  KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI TAKAO   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1985239086A, 申请日期: 1985-11-27, 公开日期: 1985-11-27 作者:  KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI TAKAO;  CHIBA KATSUAKI;  SATOU NOBU;  HIRAO MOTONAO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1985060792A, 申请日期: 1985-04-08, 公开日期: 1985-04-08 作者:  FUJISAKI YOSHIHISA;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  KAJIMURA TAKASHI;  NAKAMURA MICHIHARU   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1984210686A, 申请日期: 1984-11-29, 公开日期: 1984-11-29 作者:  DOI KOUNEN;  HIRAO MOTONAO;  NAKAMURA MICHIHARU;  TSUJI SHINJI;  MORI TAKAO   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device and method of manufacturing the same 专利  OAI收割 专利号: EP0039886B1, 申请日期: 1984-08-15, 公开日期: 1984-08-15 作者:  MOTOHISA, HIRAO;  ATSUTOSHI, DOI;  MICHIHARU, NAKAMURA;  SHINJI, TSUJI;  TAKAO, MORI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 Ohmic electrode forming method in compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: JP1984107510A, 申请日期: 1984-06-21, 公开日期: 1984-06-21 作者:  MORI MITSUHIRO;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  SAITOU KATSUTOSHI;  IMAI KUNINORI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: JP1984076492A, 申请日期: 1984-05-01, 公开日期: 1984-05-01 作者:  TSUJI SHINJI;  MORI TAKAO;  DOI KOUNEN;  TAKEDA YUTAKA;  HIRAO MOTONAO   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 P-side ohmic electrode for compound semiconductor 专利  OAI收割 专利号: JP1984011675A, 申请日期: 1984-01-21, 公开日期: 1984-01-21 作者:  MORI MITSUHIRO;  SAITOU KATSUTOSHI;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  CHIBA KATSUNUMA   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31