机构

• 西安光学精密机械研究... [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [5]

发表日期

• 1999 [2]
• 1998 [1]
• 1996 [1]
• 1989 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor light emitting device, its manufacturing method and optical recording and/or reproducing apparatus 专利  OAI收割 专利号: US5898662, 申请日期: 1999-04-27, 公开日期: 1999-04-27 作者:  ISHIBASHI, AKIRA;  TANIGUCHI, SATOSHI;  HINO, TOMONORI;  KOBAYASHI, TAKASHI;  NAKANO, KAZUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of fabricating of light emitting device with controlled lattice mismatch 专利  OAI收割 专利号: US5872023, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16 作者:  SHIRAISHI, MASASHI;  ITO, SATOSHI;  NAKANO, KAZUSHI;  ISHIBASHI, AKIRA;  IKEDA, MASAO   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device with a Mg superlattice structure 专利  OAI收割 专利号: US5828086, 申请日期: 1998-10-27, 公开日期: 1998-10-27 作者:  ISHIBASHI, AKIRA;  MATSUMOTO, SATOSHI;  NAGAI, MASAHARU;  ITO, SATOSHI;  TOMIYA, SHIGETAKA   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser with ZnMgSSe cladding layers 专利  OAI收割 专利号: US5515393, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07 作者:  OKUYAMA, HIROYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1989175278A, 申请日期: 1989-07-11, 公开日期: 1989-07-11 作者:  NAKANO KAZUSHI;  IKEDA MASAO;  TODA ATSUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/13