中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共6条,第1-6条 帮助

条数/页: 排序方式:
Preparation of biaxially textured Ce1-x(Y0.2Zr0.8)xOδ buffer layers on RABiTS NiW tapes by chemical solution deposition 期刊论文  OAI收割
Journal of the European Ceramic Society, 2018, 卷号: 38, 期号: 14, 页码: 4694-4700
作者:  
Lei, Li;  Li, Limin;  Wang, Shasha;  Zhao, Gaoyang;  Oshima, Yoshifumi
  |  收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2018/12/28
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986148892A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07
作者:  
OSHIMA HIROYUKI;  IWANO HIDEAKI;  KOMATSU HIROSHI;  TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:93/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986148893A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07
作者:  
TSUNEKAWA YOSHIFUMI;  OSHIMA HIROYUKI;  IWANO HIDEAKI;  KOMATSU HIROSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1986145886A, 申请日期: 1986-07-03, 公开日期: 1986-07-03
作者:  
OSHIMA HIROYUKI;  IWANO HIDEAKI;  KOMATSU HIROSHI;  TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986128589A, 申请日期: 1986-06-16, 公开日期: 1986-06-16
作者:  
KOMATSU HIROSHI;  OSHIMA HIROYUKI;  IWANO HIDEAKI;  TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:77/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor photoelectronic device 专利  OAI收割
专利号: JP1986108187A, 申请日期: 1986-05-26, 公开日期: 1986-05-26
作者:  
KOMATSU HIROSHI;  OSHIMA HIROYUKI;  IWANO HIDEAKI;  TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2019/12/31