中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [5]
上海硅酸盐研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [5]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
1986 [5]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Preparation of biaxially textured Ce1-x(Y0.2Zr0.8)xOδ buffer layers on RABiTS NiW tapes by chemical solution deposition
期刊论文
OAI收割
Journal of the European Ceramic Society, 2018, 卷号: 38, 期号: 14, 页码: 4694-4700
作者:
Lei, Li
;
Li, Limin
;
Wang, Shasha
;
Zhao, Gaoyang
;
Oshima, Yoshifumi
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2018/12/28
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986148892A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07
作者:
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
KOMATSU HIROSHI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:93/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986148893A, 申请日期: 1986-07-07, 公开日期: 1986-07-07
作者:
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
;
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
KOMATSU HIROSHI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986145886A, 申请日期: 1986-07-03, 公开日期: 1986-07-03
作者:
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
KOMATSU HIROSHI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986128589A, 申请日期: 1986-06-16, 公开日期: 1986-06-16
作者:
KOMATSU HIROSHI
;
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2020/01/18
Semiconductor photoelectronic device
专利
OAI收割
专利号: JP1986108187A, 申请日期: 1986-05-26, 公开日期: 1986-05-26
作者:
KOMATSU HIROSHI
;
OSHIMA HIROYUKI
;
IWANO HIDEAKI
;
TSUNEKAWA YOSHIFUMI
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/12/31