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• 西安光学精密机械研究... [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Vcsel with integral resistive region 专利  OAI收割 专利号: US20110228803A1, 申请日期: 2011-09-22, 公开日期: 2011-09-22 作者:  GUENTER, JAMES K.;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELs 专利  OAI收割 专利号: US7860143, 申请日期: 2010-12-28, 公开日期: 2010-12-28 作者:  KIM, JIN K.;  WANG, TZU-YU;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 InP based long wavelength VCSEL 专利  OAI收割 专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07 作者:  WANG, TZU-YU;  KWON, HOKI;  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON;  KIM, JIN K.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 专利  OAI收割 专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23 作者:  WANG, TZU-YU;  KIM, JIN K.;  KWON, HOKI;  PARK, GYOUNGWON;  RYOU, JAE-HYUN   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 Dielectric VCSEL gain guide 专利  OAI收割 专利号: US7277461, 申请日期: 2007-10-02, 公开日期: 2007-10-02 作者:  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 Mode selective semiconductor mirror for vertical cavity surface emitting lasers 专利  OAI收割 专利号: US20060045146A1, 申请日期: 2006-03-02, 公开日期: 2006-03-02 作者:  COX, JAMES A.;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31 InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利  OAI收割 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03 作者:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 Long wavelength VCSEL device processing 专利  OAI收割 专利号: US20050092710A1, 申请日期: 2005-05-05, 公开日期: 2005-05-05 作者:  BIARD, JAMES R.;  JOHNSON, KLEIN L.;  JOHNSON, RALPH H.;  PARK, GYOUNGWON;  WANG, TZU-YU   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31