中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [7]
采集方式
iSwitch采集 [5]
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2008 [1]
2007 [3]
2006 [3]
学科主题
光电子学 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Cathodoluminescence study of gan-based film structures
期刊论文
iSwitch采集
Journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: S58-s63
作者:
Jiang, D. S.
;
Jahn, U.
;
Chen, J.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, S. M.
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Al compositional inhomogeneity of algan epilayer with a high al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: 6
作者:
Wang, X. L.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Yang, H.
;
Liang, J. W.
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The effects of lt aln buffer thickness on the optical properties of algan grown by mocvd and al composition inhomogeneity analysis
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117
作者:
Wang, X. L.
;
Zhao, D. G.
;
Jahn, U.
;
Ploog, K.
;
Jiang, D. S.
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/05/12
The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117
Wang, XL (Wang, X. L.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, K (Ploog, K.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2010/03/29
PHOTODIODES
Spatial distribution of deep level defects in crack-free algan grown on gan with a high-temperature aln interlayer
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 5
作者:
Sun, Q.
;
Wang, H.
;
Jiang, D. S.
;
Jin, R. Q.
;
Huang, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Measurement of threading dislocation densities in gan by wet chemical etching
期刊论文
iSwitch采集
Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235
作者:
Chen, J.
;
Wang, J. F.
;
Wang, H.
;
Zhu, J. J.
;
Zhang, S. M.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Jin, RQ (Jin, R. Q.)
;
Huang, Y (Huang, Y.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, KH (Ploog, K. H.)
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES