机构

• 上海微系统与信息技术... [8]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [3]
• 2009 [2]
• 2008 [3]

学科主题

• Applied; P... [2]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fabrication of horizontal silicon nanowire arrays on insulator by ion irradiation 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2011, 卷号: 1, 期号: 4, 页码: 42174 Ou, X; Kogler, R; Wei, X; Mucklich, A; Wang, X; Skorupa, W; Facsko, S 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/05/10 Nanoscience & Nanotechnology  Materials Science  Physics  Multidisciplinary  Applied   Fabrication of horizontal silicon nanowire arrays on insulator by ion irradiation 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2011, 卷号: 1, 期号: 4, 页码: 42174 Ou, X; Kogler, R; Wei, X; Mucklich, A; Wang, X; Skorupa, W; Facsko, S 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/05/10 Nanoscience & Nanotechnology  Materials Science  Physics  Multidisciplinary  Applied   Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2010, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 171-175 Ou, X; Das Kanungo, P; Kogler, R; Werner, P; Gosele, U; Skorupa, W; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON NANOWIRES  PILE-UP  PHOSPHORUS  IMPURITIES  INTERFACE  TRANSPORT  GERMANIUM  DENSITY   Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2010, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 171-175 Ou,X; DasKanungo,P; Kogler,R; Werner,P; Gosele,U; Skorupa,W; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON NANOWIRES  PILE-UP  PHOSPHORUS  IMPURITIES  INTERFACE  TRANSPORT  GERMANIUM  DENSITY   Three-Dimensional Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2010, 卷号: 22, 期号: 36, 页码: 4020-4024 Ou, X; Das Kanungo, P; Kogler, R; Werner, P; Gosele, U; Skorupa, W; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2011/12/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SILICON NANOWIRES  ELECTRICAL-PROPERTIES  SURFACE SEGREGATION  DIAMOND TIPS  GROWTH  RESOLUTION  GERMANIUM  DENSITY   Gettering layer for oxygen accumulation in the initial stage of SIMOX processing 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 8-9, 页码: 1273-1276 Ou, X; Kogler, R; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Gerlach, JW 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 LOW-DOSE SEPARATION  ON-INSULATOR MATERIAL  BURIED OXIDE  IMPLANTED SILICON  ENERGY  REGION  WAFERS   The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903 Ou, X; Kogler, R; Mucklich, A; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Vines, L 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SOI MOSFETS  SILICON  SI  HELIUM  SEPARATION  DEFECTS  TEMPERATURE  HYDROGEN  BUBBLES   Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Lu, L. W.;  So, C. K.;  Zhu, C. Y.;  Gu, Q. L.;  Li, C. J. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 16, 页码: 161907-161907 Ou, X; Kogler, R; Mucklich, A; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Gerlach, JW; Rauschenbach, B 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 INDUCED CAVITIES  SILICON  IMPLANTATION  DEFECTS  COPPER   Influence of electron irradiation on hydrothermally grown zinc oxide single crystals 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: art. no. 095028 Lu LW; So CK; Zhu CY; Gu QL; Li CJ; Fung S; Brauer G; Anwand W; Skorupa W; Ling CC 收藏  |  浏览/下载：122/1  |  提交时间：2010/03/08 SCHOTTKY CONTACTS