中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
苏州纳米技术与纳米仿... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2016 [4]
2015 [1]
2014 [1]
2013 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Influence of growth temperature on intrinsic stress distribution in aluminum nitride grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 4
作者:
Liu, XH(刘雪华)
;
Zhang, JC(张纪才)
;
Huang, J(黄俊)
;
Yang, MM
;
Su, XJ(苏旭军)
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4
作者:
Liu, XH(刘雪华)
;
Zhang, JC(张纪才)
;
Su, XJ(苏旭军)
;
Huang, J(黄俊)
;
Zheng, SN(郑树楠)
收藏
  |  
浏览/下载:102/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Quasi-transverse optical phonon mode in self-generated semipolar AlN grains embedded in c-oriented AlN matrix grown on sapphire using hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 20
作者:
Hu, YY(胡匀匀)
;
Zhou, TF(周桃飞)
;
Zheng, SN(郑树楠)
;
Liu, XH(刘雪华)
;
Zhao, JJ
收藏
  |  
浏览/下载:84/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Nucleation and growth of (10(1)over-bar1) semi-polar AlN on (0001) AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
期刊论文
OAI收割
SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6
作者:
Liu, T(刘婷)
;
Zhang, JC(张纪才)
;
Su, XJ(苏旭军)
;
Huang, J(黄俊)
;
Wang, JF(王建峰)
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Effect of carbon types on the generation and morphology of GaN polycrystals grown using the Na flux method
期刊论文
OAI收割
CRYSTENGCOMM, 2015, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 7
作者:
Liu, ZL(刘宗亮)
;
Ren, GQ(任国强)
;
Shi, L(石林)
;
Su, XJ(苏旭军)
;
Wang, JF(王建峰)
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2015/12/31
Influence of vicinal sapphire substrate on the properties of N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 8
作者:
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2014/11/27
YELLOW LUMINESCENCE
STACKING-FAULTS
IMPURITY INCORPORATION
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48
作者:
Ren, GQ(任国强)
;
Xu, K(徐科)
;
Su, XJ(苏旭军)
;
Yang, H(杨辉)
;
Zhou, TF(周桃飞)
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2014/01/12
Defects
Etching
Hydride vapor phase epitaxy
Nitrides
Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 46, 期号: 20
作者:
Ren, GQ(任国强)
;
Xu, Y(徐俞)
;
Yang, H(杨辉)
;
Wang, JF(王建峰)
;
Xu, K(徐科)
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2014/01/15
VAPOR-PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
RAMAN-SCATTERING
ORGANIC-SOLIDS
GROWTH
ABLATION
FEMTOSECOND
LAYERS