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• 西安光学精密机械研究... [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor laser and method for producing the same 专利  OAI收割 专利号: US20050220157A1, 申请日期: 2005-10-06, 公开日期: 2005-10-06 作者:  NAKAMURA, RYO;  WATANABE, YASUHIRO;  TOMITA, KAZUYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 Production method of iii nitride compound semiconductor, and iii nitride compound semiconductor element based on it 专利  OAI收割 专利号: WO2002080243A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10 作者:  NAGAI, SEIJI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KODAMA, MASAHITO   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利  OAI收割 专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 作者:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KACHI, TETSU   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Layered semiconductor laser having solder laminations and method of making same 专利  OAI收割 专利号: US5604761, 申请日期: 1997-02-18, 公开日期: 1997-02-18 作者:  SEKI, AKINORI;  OHNISHI, TOYOKAZU;  NAKANO, JIRO;  SUGIYAMA, TAKAHIDE;  TOMITA, KAZUYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: JP1990215169A, 申请日期: 1990-08-28, 公开日期: 1990-08-28 作者:  TOMITA KAZUYOSHI;  HASHIMOTO MASAFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/01/18 Single hetero structure semiconductor laser diode 专利  OAI收割 专利号: JP1989015993A, 申请日期: 1989-01-19, 公开日期: 1989-01-19 作者:  TOMITA KAZUYOSHI;  KITAGAWA FUMITAKA;  HASHIMOTO MASAFUMI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, and group-III nitride compound semiconductor device 专利  OAI收割 专利号: US20040219702A1, 公开日期: 2004-11-04 作者:  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26