机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [5]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [4]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Metamorphic ingaas quantum well laser diodes at 1.5 mu on gaas grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 3 作者:  Wang Hai-Li;  Wu Dong-Hai;  Wu Bing-peng;  Ni Hqiao-Qiao;  Huang She-Song 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic ingaas/gaas quantum well laser diodes 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2008, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 474-u6 作者:  Wu, D.;  Wang, H.;  Wu, B.;  Ni, H.;  Huang, S. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 1.58 mu m ingaas quantum well laser on gaas 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Tangring, I.;  Ni, H. Q.;  Wu, B. P.;  Wu, D. H.;  Xiong, Y. H. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m ingaas quantum well lasers on gaas by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 971-974 作者:  Tangring, I.;  Wang, S. M.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A.;  Wang, X. D. 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Metamorphic growth  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Metamorphic ingaas quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351 作者:  Wang, S. M.;  Tangring, I.;  Gu, Q. F.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Metamorphic  Ingaas quantum well  Light emission   Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974 Tangring, I (Tangring, I.); Wang, SM (Wang, S. M.); Sadeghi, M (Sadeghi, M.); Larsson, A (Larsson, A.); Wang, XD (Wang, X. D.) 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/03/29 metamorphic growth