中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2 (0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 3
Wang, ZT
;
Yamada-Takamura, Y
;
Fujikawa, Y
;
Sakurai, T
;
Xue, QK
;
Tolle, J
;
Kouvetakis, J
;
Tsong, IST
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2013/09/17
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROUP-III NITRIDES
BUFFER LAYER
SUBSTRATE
ZRB2(0001)
SI(111)
SURFACE
Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26
Yamada-Takamura, Y
;
Wang, ZT
;
Fujikawa, Y
;
Sakurai, T
;
Xue, QK
;
Tolle, J
;
Liu, PL
;
Chizmeshya, AVG
;
Kouvetakis, J
;
Tsong, IST
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2013/09/24
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
LIGHT-EMITTING-DIODES
GROUP-III NITRIDES
WAVE BASIS-SET
GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE
GROWTH
ZRB2(0001)
POLARITY
SI
Surface superstructures and optical properties of wurtzite GaN grown on 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 229, 期号: 1, 页码: 41
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Kuwano, S
;
Nakayama, K
;
Sakurai, T
;
Tsong, IST
;
Qiu, XG
;
Segawa, Y
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
LATTICE POLARITY
ATOMIC-STRUCTURE
RECONSTRUCTION
FILMS
GAN(0001)
DIFFRACTION
MORPHOLOGY
LAYERS
Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy
期刊论文
OAI收割
THIN SOLID FILMS, 2000, 卷号: 367, 期号: 1-2, 页码: 149
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Kuwano, S
;
Sakurai, T
;
Ohno, T
;
Tsong, IST
;
Qiu, XG
;
Segawa, Y
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2013/09/17
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
6H-SIC(0001) SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
GAN(0001) SURFACES
LATTICE POLARITY
0001 SURFACES
LASER-DIODES
GROWTH
RECONSTRUCTION
MORPHOLOGY
Atomistic investigation of various GaN (0001) phases on the 6H-SiC (0001) surface
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 1999, 卷号: 59, 期号: 19, 页码: 12604
Xue, Q
;
Xue, QK
;
Bakhtizin, RZ
;
Hasegawa, Y
;
Tsong, IST
;
Sakurai, T
;
Ohno, T
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2013/09/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
LASER-DIODES
AB-INITIO
GROWTH
RECONSTRUCTIONS
GAN(0001)
POLARITY
Structures of GaN(0001)-(2x2), -(4x4), and -(5x5) surface reconstructions
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1999, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 3074
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Bakhtizin, RZ
;
Hasegawa, Y
;
Tsong, IST
;
Sakurai, T
;
Ohno, T
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
LATTICE POLARITY
0001 SURFACES
GAN GROWTH
AB-INITIO
STOICHIOMETRY
6H-SIC(0001)
LAYERS