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- 专利  OAI收割
专利号: JP1988039114B2, 申请日期: 1988-08-03, 公开日期: 1988-08-03
作者:  
KAJIMURA TAKASHI;  KURODA TAKARO;  YAMASHITA SHIGEO;  NAKAMURA MICHIHARU;  UMEDA JUNICHI
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Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: JP1986142786A, 申请日期: 1986-06-30, 公开日期: 1986-06-30
作者:  
KAJIMURA TAKASHI;  KURODA TAKARO;  YAMASHITA SHIGEO;  NAKAMURA MICHIHARU;  UMEDA JUNICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/01/13
- 专利  OAI收割
专利号: JP1985016116B2, 申请日期: 1985-04-23, 公开日期: 1985-04-23
作者:  
NAKAMURA MICHIHARU;  AIKI KUNIO;  YAMASHITA SHIGEO;  UMEDA JUNICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
- 专利  OAI收割
专利号: JP1984043839B2, 申请日期: 1984-10-24, 公开日期: 1984-10-24
作者:  
KAJIMURA TAKASHI;  SAITO KAZUTOSHI;  SHIGE NORYUKI;  NAKAMURA MICHIHARU;  UMEDA JUNICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: EP0007730A1, 申请日期: 1980-02-06, 公开日期: 1980-02-06
作者:  
KAJIMURA, TAKASHI;  HIRAO, MOTOHISA;  NAKAMURA, MICHIHARU;  KURODA, TAKAO
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18
GaAs-GaAlAs semiconductor having a periodic corrugation at an interface 专利  OAI收割
专利号: US4073676, 申请日期: 1978-02-14, 公开日期: 1978-02-14
作者:  
AIKI, KUNIO;  NAKAMURA, MICHIHARU;  UMEDA, JUNICHI
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/23
Semiconductor laser device and method for manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US3783351, 申请日期: 1974-01-01, 公开日期: 1974
作者:  
TSUKADA, TOSHIHISA;  UMEDA, JUNICHI;  KAWAMURA, MASAO
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/01/18