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机构
西安光学精密机械研究... [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
专利 [7]
发表日期
1988 [1]
1986 [1]
1985 [1]
1984 [1]
1980 [1]
1978 [1]
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专利
OAI收割
专利号: JP1988039114B2, 申请日期: 1988-08-03, 公开日期: 1988-08-03
作者:
KAJIMURA TAKASHI
;
KURODA TAKARO
;
YAMASHITA SHIGEO
;
NAKAMURA MICHIHARU
;
UMEDA JUNICHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1986142786A, 申请日期: 1986-06-30, 公开日期: 1986-06-30
作者:
KAJIMURA TAKASHI
;
KURODA TAKARO
;
YAMASHITA SHIGEO
;
NAKAMURA MICHIHARU
;
UMEDA JUNICHI
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提交时间:2020/01/13
-
专利
OAI收割
专利号: JP1985016116B2, 申请日期: 1985-04-23, 公开日期: 1985-04-23
作者:
NAKAMURA MICHIHARU
;
AIKI KUNIO
;
YAMASHITA SHIGEO
;
UMEDA JUNICHI
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提交时间:2020/01/18
-
专利
OAI收割
专利号: JP1984043839B2, 申请日期: 1984-10-24, 公开日期: 1984-10-24
作者:
KAJIMURA TAKASHI
;
SAITO KAZUTOSHI
;
SHIGE NORYUKI
;
NAKAMURA MICHIHARU
;
UMEDA JUNICHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: EP0007730A1, 申请日期: 1980-02-06, 公开日期: 1980-02-06
作者:
KAJIMURA, TAKASHI
;
HIRAO, MOTOHISA
;
NAKAMURA, MICHIHARU
;
KURODA, TAKAO
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提交时间:2020/01/18
GaAs-GaAlAs semiconductor having a periodic corrugation at an interface
专利
OAI收割
专利号: US4073676, 申请日期: 1978-02-14, 公开日期: 1978-02-14
作者:
AIKI, KUNIO
;
NAKAMURA, MICHIHARU
;
UMEDA, JUNICHI
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提交时间:2019/12/23
Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: US3783351, 申请日期: 1974-01-01, 公开日期: 1974
作者:
TSUKADA, TOSHIHISA
;
UMEDA, JUNICHI
;
KAWAMURA, MASAO
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提交时间:2020/01/18