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采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 专利 [3]

发表日期

• 2018 [4]
• 2017 [2]
• 2005 [2]
• 2002 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Conversion efficiencies of single-junction III-V solar cells based on InGaP, GaAs, InGaAsP, and InGaAs for laser wireless power transmission 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018 作者:  Jomen, Ryota;  Uchida, Shiro;  Lu, Shulong(陆书龙);  Dai, Pan(代盼);  Maenaka, Hiroyasu   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/27 Improved efficiency of a four-junction solar cell under real sunlight 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018 作者:  Uchida, Shiro;  Teramoto, Hideo;  Ajima, Yoshiaki;  Kaneko, Yamato;  Nakamura, Yuki   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/03/27 Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018 作者:  Ajima, Yoshiaki;  Nakamura, Yuki;  Murakami, Kenta;  Teramoto, Hideo;  Jomen, Ryota   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/03/27 The Hyper Suprime-Cam SSP Survey: Overview and survey design 期刊论文  OAI收割 PUBLICATIONS OF THE ASTRONOMICAL SOCIETY OF JAPAN, 2018, 卷号: 70 作者:  Aihara, Hiroaki;  Arimoto, Nobuo;  Armstrong, Robert;  Arnouts, Stephane;  Bahcall, Neta A.   |  收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2019/05/23 Cosmology: Observations  Galaxies: General  Large-scale Structure Of Universe  Surveys   Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2017, 卷号: 171, 期号: 11, 页码: 118-122 作者:  Dai, P (Dai, Pan);  Ji, L (Ji, Lian);  Tan, M (Tan, Ming)   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2017/11/30 Electron Irradiation  Four-junction Solar Cell  Molecular Beam Epitaxy   Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2017 作者:  Dai, Pan（代盼）;  Ji, Lian（季莲）;  Tan, Ming（谭明）;  Uchida, Shiro;  Wu, Yuanyuan（吴源源）   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2018/02/05 Semiconductor laser device and fabrication method thereof 专利  OAI收割 专利号: US6954477, 申请日期: 2005-10-11, 公开日期: 2005-10-11 作者:  UCHIDA, SHIRO;  TOJO, TSUYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: EP1515405A2, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  HIRATA, SHOJI;  UCHIDA, SHIRO;  IWAMOTO, KOJI;  NAGASAKI, HIROKI;  TOJYO, TSUYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor light emitting device 专利  OAI收割 专利号: US6492660, 申请日期: 2002-12-10, 公开日期: 2002-12-10 作者:  UCHIDA, SHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/13