机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 1999 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [2]
• 1988 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 High temperature annealing behaviors of luminescent SIOx : H films 会议论文  OAI收割 symposium e on luminescent materials at the 1999 mrs spring meeting, san francisco, ca, apr 05-08, 1999 Ma ZX; Xiang XB; Sheng SR; Liao XB; Shao CL; Umeno M 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 RAMAN-SPECTRA  SILICON  PHOTOLUMINESCENCE   A theoretical model for the tilt of the GaAs/Si epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 178, 期号: 3, 页码: 276-279 Hao MS; Shao CL; Soga T; Jimbo T; Umeno M; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs/Si  tilt  MISORIENTATION  EPITAXY  SI(001)   Characterization and improvement of GaAs layers grown on Si using an ultrathin a-Si film as a buffer layer 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 8a, 页码: l960-l963 Hao MS; Shao CL; Soga T; Jimbo T; Umeno M; Liang JW; Zheng LX; Xiao ZB; Xiao JF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs/Si epilayer  a-Si buffer layer  deep level  MOCVD  DISLOCATION DENSITY   Assessment of the structural properties of GaAs/Si epilayers using X-ray (004) and (220) reflections 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1996, 卷号: 35, 期号: 12a, 页码: 6017-6018 Hao MS; Wang YT; Shao CL; Soga TS; Liang JW; Jimbo T; Umeno M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/17 lattice constant  misorientation  X-ray reflection  GaAs/Si epilayer  SI   ALGAAS GAAS TJS LASER-DIODES FABRICATED ON SI SUBSTRATES BY MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 1988, 卷号: 40-41, 期号: 0, 页码: 814-815 HU XW; SAKAI S; SOGA T; UMENO M 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/11/15