机构

• 西安光学精密机械研究... [5]

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• OAI收割 [5]

内容类型

• 专利 [5]

发表日期

• 2008 [1]
• 1993 [1]
• 1991 [1]
• 1990 [1]
• 1986 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Semiconductor Laser Device and Method for Fabricating Same 专利  OAI收割 专利号: US20080049800A1, 申请日期: 2008-02-28, 公开日期: 2008-02-28 作者:  HASEGAWA, YOSHIAKI;  YOKOGAWA, TOSHIYA;  YAJIMA, HIROYOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31 - 专利  OAI收割 专利号: JP1993065072B2, 申请日期: 1993-09-16, 公开日期: 1993-09-16 作者:  WATANABE MASANOBU;  YAJIMA HIROYOSHI;  MUKAI SEIJI;  ITO HIDEO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 Divided electrode type semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: EP0370831A3, 申请日期: 1991-05-02, 公开日期: 1991-05-02 作者:  SUZUKI, YOSHIHIRO AGENCY OF IND.SCIENCE AND TECHN.;  YAJIMA, HIROYOSHI AGENCY OF IND.SCIENCE AND TECHN.;  SHIMADA, JUNICHI AGENCY OF IND.SCIENCE AND TECHN.;  SHIMOYAMA, KENJI MITSUBISHI KASEI CORPORATION;  GOTOH, HIDEKI MITSUBISHI KASEI CORPORATION   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device with a plurality of active layers 专利  OAI收割 专利号: JP1990144983A, 申请日期: 1990-06-04, 公开日期: 1990-06-04 作者:  SUZUKI KATSUHIRO;  YAJIMA HIROYOSHI;  SHIMADA JUNICHI;  SHIMOYAMA KENJI;  GOTO HIDEKI   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: JP1986236190A, 申请日期: 1986-10-21, 公开日期: 1986-10-21 作者:  MUKAI SEIJI;  YAJIMA HIROYOSHI;  WATANABE MASANOBU;  ITO HIDEO   |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2020/01/18