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Semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: US9231375, 申请日期: 2016-01-05, 公开日期: 2016-01-05
作者:  
TASAI, KUNIHIKO;  NAKAJIMA, HIROSHI;  FUTAGAWA, NORIYUKI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  ENYA, YOHEI
  |  收藏  |  浏览/下载:27/0  |  提交时间:2020/01/18
III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
作者:  
KYONO, TAKASHI;  TAKAGI, SHIMPEI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/26
Group-III nitride semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:  
UENO, MASAKI;  KATAYAMA, KOJI;  IKEGAMI, TAKATOSHI;  NAKAMURA, TAKAO;  YANASHIMA, KATSUNORI
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/26
Laser diode device and method of manufacturing laser diode device 专利  OAI收割
专利号: US8891568, 申请日期: 2014-11-18, 公开日期: 2014-11-18
作者:  
FUTAGAWA, NORIYUKI;  NAKAJIMA, HIROSHI;  YANASHIMA, KATSUNORI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/24
Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利  OAI收割
专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
作者:  
KUMANO, TETSUYA
  |  收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/12/26