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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
2014 [2]
2013 [1]
学科主题
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共5条,第1-5条
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Semiconductor device
专利
OAI收割
专利号: US9231375, 申请日期: 2016-01-05, 公开日期: 2016-01-05
作者:
TASAI, KUNIHIKO
;
NAKAJIMA, HIROSHI
;
FUTAGAWA, NORIYUKI
;
YANASHIMA, KATSUNORI
;
ENYA, YOHEI
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提交时间:2020/01/18
III-nitride semiconductor laser device and method for fabricating III-nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US8953656, 申请日期: 2015-02-10, 公开日期: 2015-02-10
作者:
KYONO, TAKASHI
;
TAKAGI, SHIMPEI
;
SUMITOMO, TAKAMICHI
;
YOSHIZUMI, YUSUKE
;
ENYA, YOHEI
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提交时间:2019/12/26
Group-III nitride semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
作者:
UENO, MASAKI
;
KATAYAMA, KOJI
;
IKEGAMI, TAKATOSHI
;
NAKAMURA, TAKAO
;
YANASHIMA, KATSUNORI
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提交时间:2019/12/26
Laser diode device and method of manufacturing laser diode device
专利
OAI收割
专利号: US8891568, 申请日期: 2014-11-18, 公开日期: 2014-11-18
作者:
FUTAGAWA, NORIYUKI
;
NAKAJIMA, HIROSHI
;
YANASHIMA, KATSUNORI
;
KYONO, TAKASHI
;
ADACHI, MASAHIRO
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提交时间:2019/12/24
Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
作者:
KUMANO, TETSUYA
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提交时间:2019/12/26