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浏览/检索结果: 共40条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Development Progress of HEPS LINAC 会议论文  OAI收割 Thailand, 2022 作者:  C. Meng;  N. Gan;  D.Y. He;  X. He;  Y. Jiao   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2023/01/05 Simulation and Beam Experiments of a Multi-Harmonics Buncher in SSC-Linac 会议论文  OAI收割 Brazil, 2021 作者:  Q.Y. Kong;  H. Du;  P. Jin;  L. Jing;  X.N. Li   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/01/18 The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割 Optical Materials, 2018 作者:  Yang, J.;  Liu, S.T.;  Du, G.T.;  Zhang, Y.T.;  Li, M.   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2019/03/27 Enhancement of the emission efficiency of InGaN films by suppressing the incorporation of unintentional gallium atoms 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 34-40 作者:  J. Yang ;   S.T. Liu ;   X.W. Wang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   L.Q. Zhang ;   H. Yang ;   W.J. Wang ;   M. Li   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/11/19 The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells 期刊论文  OAI收割 Optical Materials, 2018, 卷号: 86, 页码: 460-463 作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Y. Peng ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/11/19 Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: 113, 页码: 690-695 作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Q. Zhang ;   W.J. Wang ;   M. Li ;   Y.T. Zhang ;   G.T. Du   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/11/19 Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39 作者:  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  P. Chen;  J.J. Zhu   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/11/30 Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017 作者:  Liu, S.T.;  Yang, J.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liang, F.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/02/05 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68 作者:  S.T. Liu;  J. Yang;  D.G. Zhao;  D.S. Jiang;  F. Liang 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/07/11 Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文  OAI收割 Materials Technology, 2016 作者:  Liang, F.;  Chen, P.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liu, Z.S. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11