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• 苏州纳米技术与纳米... [71]

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浏览/检索结果: 共71条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Song, L;  Fu, K（付凯）;  Zhang, ZL（张志利）;  Sun, SC;  Li, WY   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/02/05 High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩）   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/02/05 Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/03/11 AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1 作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2017/03/11 Synthesis and characterization of twinned flower-like ZnO structures grown by hydrothermal methods 期刊论文  OAI收割 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 8 作者:  Sun, YP;  Guo, HY;  Zhang, W;  Zhou, TF(周桃飞);  Qiu, YX(邱永鑫) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 671 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：150/0  |  提交时间：2017/03/11 Growths of Fe-doped GaN high-resistivity buffer layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistor devices 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 1 作者:  Wang, K;  Xing, YH;  Han, J;  Zhao, KK;  Guo, LJ 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2017/03/11 The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/11 Giant spin-torque diode sensitivity in the absence of bias magnetic field 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2016, 卷号: 7 作者:  Fang, B(方彬);  Carpentieri, M;  Hao, XJ;  Jiang, HW;  Katine, JA 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2017/03/11