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• 上海微系统与信息技... [27]

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• 期刊论文 [27]

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• 2012 [3]
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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+ Wang, K; Gu, Y; Fang, X; Zhou, L; Li, C; Li, HSBY; Zhang, YG（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/05/10 Optics   Anomalous spin-orbit coupling in high-density two-dimensional electron gas confined in InGaAs/InAlAs quantum well 期刊论文  OAI收割 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2012, 卷号: 152, 期号: 12, 页码: 1042-1046 Gao, KH; Lin, T; Wei, LM; Liu, XZ; Chen, X; Yu, G; Gu, Y; Zhang, YG（重点实验室）; Dai, N; Chu, JH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Condensed Matter   InAlAs Graded Metamorphic Buffer with Digital Alloy Intermediate Layers 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 80205 Gu, Y; Zhang, YG（重点实验室）; Wang, K; Fang, X; Liu, KH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 121102 Chen, P; Gong, Q; Cao, CF; Li, SG; Wang, Y; Liu, QB; Yue, L; Zhang, YG（重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）; Ma, CH; Wang, HL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Gas source MBE grown Al0.52In0.48P photovoltaic detector 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 501-503 Li, C; Zhang, YG（重点实验室）; Gu, Y; Wang, K; Li, AZ; Li, H; Shan, XM; Fang, JX 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/05/10 Crystallography  Materials Science  Physics  Multidisciplinary  Applied   Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453 Gong, Q; Chen, P; Li, SG; Lao, YF; Cao, CF; Xu, CF; Zhang, YG（重点实验室）; Feng, SL(重点实验室）; Ma, CH; Wang, HL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/05/10 Crystallography  Materials Science  Physics  Multidisciplinary  Applied   InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 8, 页码: 81914 Gu, Y; Zhang, YG（重点实验室）; Wang, K; Fang, X; Li, C; Cao, YY; Li, AZ; Li, YY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   High indium content InGaAs photodetector: with InGaAs or InAlAs graded buffer layers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 481-485 Gu, Y; Wang, K; Li, C; Fang, X; Gao, YY; Zhang, YG（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/10 Optics   Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108, 期号: 6, 页码: 63701 Gao, KH; Yu, G; Zhou, YM; Wei, LM; Lin, T; Shang, LY; Sun, L; Yang, R; Zhou, WZ; Dai, N; Chu, JH; Austing, DG; Gu, Y; Zhang, YG（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 77304 Gu, Y; Wang, K; Li, YY; Li, C; Zhang, YG（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Multidisciplinary