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Method to measure muon content of extensive air showers with LHAASO KM2A-WCDA synergy
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2024, 卷号: 1059
作者:
Cao, Zhen
;
Aharonian, F.
;
An, Q.
;
Axikegu
;
Bai, L.X.
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提交时间:2024/03/29
Muon measurement
Water Cherenkov Detector
LHAASO
Status and Progress of the RF System for High Energy Photon Source
会议论文
OAI收割
Brazil, 2021
作者:
P. Zhang
;
J. Dai
;
Z.W. Deng
;
L. Guo
;
T.M. Huang
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/01/18
Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359
作者:
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2021/11/26
Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362
作者:
G.G. Yan
;
Y.W. He
;
Z.W. Shen
;
Y.X. Cui
;
J.T. Li
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
X.F. Liu
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2021/11/26
The US Electron Ion Collider Accelerator Designs
会议论文
OAI收割
Michigan, 2019
作者:
A. Seryi
;
S.V. Benson
;
S.A. Bogacz
;
P.D. Brindza
;
M.W. Bruker
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2021/05/31
Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
Y.W. He
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2020/07/31
Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 55, 页码: 1-4
作者:
G.G. Yan
;
X.F. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
X.H. Zhang
;
X.G. Li
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
;
Z.G. Wang
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提交时间:2020/08/04
The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 175-179
作者:
G.G. Yan
;
X.F. Liu
;
Z.W. Shen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
Y.X. Cui
;
J.T. Li
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2020/07/31
Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
B. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/11/15
The compact pulsed hadron source construction status
会议论文
OAI收割
Kyoto, Japan
作者:
Wei, J.
;
Bai, Y.J.
;
Cai, J.C.
;
Chen, H.B.
;
Cheng, C.
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提交时间:2019/03/27