机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [2]
• 半导体研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2021 [1]
• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13 作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2021/04/26 GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states   Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/02/06 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2017/03/11 X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1865-1870 作者:  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/23