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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13 作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/04/26 GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states   High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2016 作者:  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Effect of interface and bulk traps on the C–V characterization of a LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure 期刊论文  OAI收割 Semiconductor Science and Technology, 2016 作者:  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割 Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016 作者:  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08 Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2017/03/11 Compatibility of AlN/SiNx Passivation With LPCVD-SiNx Gate Dielectric in GaN-Based MIS-HEMT 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 3 作者:  Hua, MY;  Lu, YY;  Liu, SH;  Liu, C;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11 Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letter, 2015 作者:  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森);  Zheng YK(郑英奎);  Wei K(魏珂)   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/26 RobustSiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2015 作者:  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/05/26 Comparative Study of AlGaN/GaN HEMTs with LPCVD- and PECVD-SiNx Passivation 会议论文  OAI收割 作者:  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/15 GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  MIS-HEMT  LPCVD  silicon nitride  gate dielectric