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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  马林东   |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/07/15 CMOS图像传感器  总剂量效应  位移效应   辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  周航   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2017/09/26 Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb   3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波   |  收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2016/09/27 Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/02 总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器   高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014 作者:  吴雪   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2014/08/05 深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法   深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 22, 页码: 262-269 作者:  王信;  陆妩;  吴雪;  马武英;  崔江维   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/10/13 总剂量效应  N沟道金属氧化物场效应晶体管  寄生双极晶体管  Bandgap基准电压源   星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  崔江维   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/05/10 超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用   深亚微米高压集成电路中LDMOS的建模与工艺集成 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 王磊 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2012/03/06 高压器件  　LDMOS  　准饱和效应  　双峰衬底电流　   深亚微米级VLSI低功耗设计技术研究 学位论文  OAI收割 沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2008 作者:  杨松   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/29 低泄漏功耗  睡眠晶体管  亚阈值泄漏  栅氧化层厚度   CMOS射频集成电路ESD保护的挑战 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 9，628-636 作者:  王自惠;  林琳;  王昕;  刘海南;  周玉梅   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/27 静电泄放  Esd保护  射频esd  寄生效应