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机构
新疆理化技术研究所 [11]
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OAI收割 [11]
内容类型
期刊论文 [8]
学位论文 [3]
发表日期
2020 [1]
2015 [1]
2014 [1]
2013 [2]
2012 [1]
2011 [2]
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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
作者:
刘默寒
;
陆妩
;
马武英
;
王信
;
郭旗
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
偏置条件
退火
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014
作者:
吴雪
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2014/08/05
深亚微米
高速模数/数模转换器
辐照偏置条件
总剂量效应
单粒子效应
加速评估方法
双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 657-663
作者:
胡天乐
;
陆妩
;
何承发
;
席善斌
;
周东
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/05/24
双极运算放大器
电子辐照
偏置条件
退火
PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 325-330
作者:
胡天乐
;
陆妩
;
席善斌
;
郭旗
;
何承发
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/06/14
Pnp输入双极运算放大器
电子和60coγ源
偏置条件
退火
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应
期刊论文
OAI收割
核技术, 2012, 期号: 8, 页码: 601-605
作者:
卢健
;
余学峰
;
李明
;
张乐情
;
崔江维
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提交时间:2012/11/29
静态随机存储器
总剂量效应
不同偏置条件
辐射损伤
印记现象
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
王义元
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/05/24
电离辐射
偏置条件
低剂量率损伤增强效应
模拟电路
数模/模数转换器
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132
作者:
李茂顺
;
余学峰
;
任迪远
;
郭旗
;
李豫东
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/11/29
静态随机存取存储器
总剂量辐照
偏置条件
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
李茂顺
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2016/05/26
Sram
总剂量辐射效应
敏感参数
偏置条件
剂量率
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1252-1256
作者:
陈睿
;
陆妩
;
任迪远
;
郑玉展
;
王义元
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/11/29
模数转换器
60Coγ辐照
室温退火
偏置条件