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机构
上海微系统与信息技术... [7]
微电子研究所 [1]
上海应用物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [6]
学位论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [2]
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体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02
薛忠营
;
张波
;
魏星
;
张苗
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/04/13
外延
应变
锗硅
SGOI
低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010
马小波
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2012/03/06
低温等离子体键合
绝缘体上的硅(SOI)
绝缘体上锗硅(SGOI)
绝 缘体上的锗(GeOI)
应变硅(strained Si)
扩频系统中多普勒频偏快速估计算法的性能分析
期刊论文
OAI收割
宇航学报, 2008, 期号: 02
陈晓挺
;
刘会杰
;
梁旭文
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
高端硅基材料
绝缘体上硅
绝缘体上应变硅
绝缘体上锗
“天链一号01星”对三类卫星中继性能仿真分析
期刊论文
OAI收割
全球定位系统, 2008, 期号: 06
蒋虎
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
高端硅基材料
绝缘体上硅
绝缘体上应变硅
绝缘体上锗
负介电常数材料与负磁导率材料双层结构的透射特性
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2007, 期号: 08
董丽娟
;
江海涛
;
杨成全
;
石云龙
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/01/06
高端硅基材料
绝缘体上硅(SOI)
绝缘体上应变硅(sSOI)
绝缘体上锗(GOI)
SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2006
狄增峰
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提交时间:2012/03/06
SiGe
绝缘体上的硅(SOI)
绝缘体上的锗硅(SGOI)
应变硅
高K栅介质
等离子浸没式离子注入
自加热效应
SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2005, 期号: 04
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰
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提交时间:2012/07/04
应变
硅锗
卢瑟福背散射/沟道效应
高分辨率X射线衍射
拉曼谱
SGOI材料的SIMOX制备技术研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005
陈志君
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/03/06
掩盖注氧隔离技术
氧化增强注氧隔离技术
绝缘体上的锗硅
应变硅
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 6,966-971
作者:
杨荣
;
罗晋生
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提交时间:2010/05/25
应变硅锗
Pmosfet
击穿
模拟
分析