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辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
;
郭旗1,2,3
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提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响
期刊论文
OAI收割
电子学报, 2020, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 2278-2283
作者:
王涛1,2,3
;
王倩1
;
何承发2,3
;
荀明珠2,3
;
买买提热夏提·买买提1
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2020/12/15
电离总剂量效应
平衡材料
电流增益
次级电子平衡
辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
王志铭
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/07/15
HgCdTe红外探测器
辐射效应
暗电流
总剂量效应
位移效应
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
作者:
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/11/19
Cmos有源像素传感器
总剂量效应
暗电流
基于FID的机动车尾气THC测量模块设计与对比实验
期刊论文
OAI收割
大气与环境光学学报, 2017, 卷号: 12
作者:
尤坤
;
张玉钧
;
刘国华
;
陈晨
;
高彦伟
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提交时间:2020/10/26
氢火焰离子化检测
总碳氢化合物
微电流放大电路
标准曲线法
InGaAs探测器总剂量辐照性能试验分析
期刊论文
OAI收割
传感技术学报, 2015, 期号: 01, 页码: 19-22
作者:
张航
;
刘栋斌
;
李帅
;
孙振亚
;
王文全
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提交时间:2016/07/06
InGaAs探测器
损伤机理
总剂量辐射
暗电流
响应度
线阵探测器KLI-2113总剂量辐照性能试验分析
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2013, 期号: 05, 页码: 611-616
作者:
刘栋斌
;
张航
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2014/03/07
电荷耦合器件
总剂量辐射
暗电流
电荷转移效率
损伤机理
部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
作者:
李明
;
余学峰
;
薛耀国
;
卢健
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提交时间:2012/11/29
部分耗尽绝缘层附着硅
静态随机存储器
总剂量效应
功耗电流
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应
三七总皂苷对大鼠海马CA1区兴奋性突触活动的影响
期刊论文
OAI收割
广西医科大学学报, 2010, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 532-535
作者:
周燕[*]
;
宁宗
;
田磊
;
徐林
;
莫宁
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提交时间:2010/11/10
三七总皂苷
海马CA1区
微小兴奋性突触后电流
突触前机制
膜片钳