中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
高能物理研究所 [4]
微电子研究所 [2]
上海微系统与信息技术... [2]
上海技术物理研究所 [2]
长春应用化学研究所 [2]
力学研究所 [1]
更多
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
期刊论文 [11]
学位论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2018 [3]
2013 [1]
2012 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2005 [1]
更多
学科主题
红外探测材料与器件 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
面向二硫化钼器件的微纳操控与制造技术研究
学位论文
OAI收割
沈阳: 中国科学院沈阳自动化研究所, 2018
作者:
李萌
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2018/12/16
原子力显微镜
二硫化钼
晶向检测
深度可控加工
器件装配
晶体定向仪控制平台和数据采集系统设计
期刊论文
OAI收割
CT理论与应用研究, 2018, 卷号: 27, 期号: 04, 页码: 477-484
作者:
杨雄斌
;
刘鹏浩
;
庄凯
;
李婷
;
秦秀波
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2018/12/25
LabVIEW
动态函数库
X射线探测器
运动控制
晶体晶向
晶体定向仪控制平台和数据采集系统设计
期刊论文
OAI收割
CT理论与应用研究, 2018, 期号: 4, 页码: 477-484
作者:
李婷
;
杨雄斌
;
刘鹏浩
;
庄凯
;
秦秀波
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/09/24
LabVIEW
动态函数库
X射线探测器
运动控制
晶体晶向
小分子液晶及其碳纳米管复合材料的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院长春应化所, 2013
赵永霞
收藏
  |  
浏览/下载:84/0
  |  
提交时间:2014/09/25
液晶
向列相
近晶相
胆甾相
碳纳米管
单晶硅基底上铜薄膜沉积生长的分子动力学模拟
会议论文
OAI收割
第十二届全国物理力学学术会议, 中国广西桂林, 2012-11-12
作者:
张俊
;
刘崇
;
王连红
;
舒勇华
;
樊菁
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2014/04/02
薄膜
外延生长
晶体结构与晶向
分子动力学
星载高速海量存储系统的并行RS纠错方法
期刊论文
OAI收割
航天控制, 2009, 期号: 03
张宇宁
;
杨根庆
;
李华旺
;
常亮
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2012/01/06
亚10nm器件
混合晶向
无PN结
圆柱体共包围栅
互补金属氧化物
场效应晶体管
器件分析
器件仿真
器件工艺
MOSFET迁移率增强技术
期刊论文
OAI收割
微 电 子 学, 2007, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 6,61_66
作者:
胡爱斌
;
徐秋霞
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/05/26
Mos f e t
载流子迁移率
衬底诱生应力
工艺诱生应力
衬底晶向
在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe
期刊论文
OAI收割
红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24
作者:
傅祥良
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2011/11/14
分子束外延
Si衬底
Ge衬底
Cdte
Hgcdte
晶向
晶格失配
异质衬底MBE HgCdTe过渡层及x射线衍射分析
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2004
作者:
王元樟
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/06/25
分子束外延
Znte
Cdte
晶向
均匀性
晶向倾角
孪晶
热应变
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 446-449
作者:
袁志鹏
;
刘训春
;
孙海峰
;
石瑞英
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas
Hbt晶向效应
直流电流增益
截止频率
压电效应
侧向腐蚀