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共15条,第1-10条
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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
极端辐射环境下双极晶体管的剂量率效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
刘默寒
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2019/07/15
双极晶体管
低剂量率辐射损伤增强效应
变温辐照加速评估方法
极高总剂量
氢化氧空位
界面陷阱电荷
氧化物陷阱电荷
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
会议论文
OAI收割
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:
玛丽娅
;
李豫东
;
郭旗
;
刘昌举
;
文林
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/06/05
Cmos有源像素传感器
电子辐照
电离效应
暗电流
氧化物陷阱电荷
界面态缺陷
深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012
刘张李
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2013/04/24
总剂量辐射效应
陷阱正电荷
浅沟槽隔离氧化物
辐射加固
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远
;
刘张李
;
邵华
;
张正选
;
宁冰旭
;
毕大炜
;
陈明
;
邹世昌
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2013/02/22
总剂量效应
浅沟槽隔离
氧化层陷阱正电荷
金属氧化物半导体场效晶体管
层状钙钛矿钴氧化物Y_(1-x)Gd_xBaCo_2O_5中稀土离子半径对电荷有序转变的影响
期刊论文
OAI收割
低温物理学报, 2012, 卷号: 34
作者:
吴娜
;
张蕾
;
郗传英
;
方军
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/10/26
层状钙钛矿
钴氧化物
电荷有序
Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜中的各向异性磁电阻效应的研究
会议论文
OAI收割
中国物理学会2011年秋季学术会议, 2011
张玉琴
;
孟辉
;
王显文等
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/01/09
CMR 锰氧化物薄膜
各向异性磁电阻
电荷有序
相分离
电荷有序态La_(0.25)Ca_(0.75)MnO_3的红外光学特性分析
期刊论文
OAI收割
中国科学:物理学力学天文学, 2011, 期号: 10, 页码: 1138-1143
作者:
丁伯江
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/07/06
电荷有序
锰氧化物
相变
红外反射谱
电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
作者:
李鹏伟
;
郭旗
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/11/29
商用CCD
氧化物电荷
界面态
退火效应
注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响
会议论文
OAI收割
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
王茹
;
张正选
;
俞文杰
;
田浩
;
毕大炜
;
张帅
;
陈明
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2012/01/18
总剂量效应 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 注硅工艺 改性加固材料 抗辐射性能 金属氧化物半导体 场效应晶体管