机构

• 微电子研究所 [5]
• 半导体研究所 [5]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 上海光学精密机械研究... [1]
• 工程热物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 学位论文 [6]
• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2017 [3]
• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 2008 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体器件 [2]
• 光学材料;晶体 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 微电子学 [1]
• 热传导 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 AlGaN/GaNHEMT生化传感器的设计、制备及性能检测 学位论文  OAI收割 : 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018 作者:  丁祥桢   |  收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2019/03/28 氮化镓,高电子迁移率晶体管,生化传感器,延伸栅,分子膜栅   GaN基HEMT生物传感器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 占香蜜 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  高电子迁移率晶体管  生物传感器  DNA杂交  癌胚抗原（CEA）检测   含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 李巍 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌   (In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 闫俊达 收藏  |  浏览/下载：546/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  异质结构  二维空穴气  二维电子气  高电子迁移率晶体管   反应室高度对氮化镓生长的影响研究 会议论文  OAI收割 2015年中国工程热物理学会传热传质学学术年会, 大连, 2015 作者:  魏光华;  赵长颖 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/12/30 MOCVD  氮化镓  反应器高度  晶体质量   具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014 彭恩超 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2014/06/05 氮化镓  异质结  高电子迁移率晶体管  二维电子气  背势垒   GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 毕杨 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/05/30 氮化镓  铟铝氮  二维电子气  高电子迁移率晶体管  短沟道效应   8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 3，1354-1356 作者:  刘果果;  郑英奎;  魏珂;  李诚瞻;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/27 氮化镓  高电子迁移率晶体管  微波功率  栅场板   偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2007, 期号: 2 作者:  鲁净;  禡龙;  刘明;  王燕;  薛丽君   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管   微波功率器件的扇形线测试电路 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561 作者:  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/26 扇形线  测试电路  氮化镓  高电子迁移率晶体管