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	空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者: 马腾 \| 收藏 \|
	质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响期刊论文 OAI收割现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4 作者: 马腾; 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 赵京昊 \| 收藏 \|
	面向红外、紫外焦平面阵列的读出电路的研究学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010 马文龙收藏 \|
	45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗期刊论文 OAI收割半导体学报, 2007, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 745-749 作者: 王宏; 杨松; 杨志家 \| 收藏 \|
	一种新型的低泄漏功耗FPGAs查找表期刊论文 OAI收割微电子学与计算机, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 27-29，33 作者: 王宏; 杨松; 杨志家 \| 收藏 \|
	边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响期刊论文 OAI收割电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 996-999,1003 作者: 吴峻峰; 李多力; 毕津顺; 薛丽君; 海潮和 \| 收藏 \|