机构

• 新疆理化技术研究所 [2]
• 沈阳自动化研究所 [2]
• 微电子研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2018 [2]
• 2010 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [1]

学科主题

• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  马腾   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/07/06 金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿   质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文  OAI收割 现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4 作者:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/07/20 辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi   面向红外、紫外焦平面阵列的读出电路的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010 马文龙 收藏  |  浏览/下载：85/12  |  提交时间：2010/04/07 量子阱红外焦平面阵列  CMOS 读出电路  GaN 紫外焦平面阵列  低温  内建电注入  低泄漏电流  非均匀性   45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度降低SRAM的泄漏功耗 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 745-749 作者:  王宏;  杨松;  杨志家   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/29 栅极泄漏电流  Sram  栅氧化层厚度  静态噪声边界   一种新型的低泄漏功耗FPGAs查找表 期刊论文  OAI收割 微电子学与计算机, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 27-29，33 作者:  王宏;  杨松;  杨志家   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/29 Luts  泄漏电流  虚电源  虚地  睡眠晶体管   边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 996-999,1003 作者:  吴峻峰;  李多力;  毕津顺;  薛丽君;  海潮和   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 亚阈值泄漏电流  H型栅  Pmosfet