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采集方式

• OAI收割 [39]

内容类型

• 期刊论文 [30]
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• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]
• 2008 [1]
• 2007 [4]
• 2006 [4]
• 2005 [2]
• 2004 [2]
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学科主题

• 光学薄膜 [1]
• 天文技术与方法 [1]
• 电子、离子物理 [1]
• 电子物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2014 韩智明 收藏  |  浏览/下载：279/0  |  提交时间：2015/05/03 金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层   MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2012, 期号: 09, 页码: 985-990 作者:  宁永强;  张金龙 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/11 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物  外延生长  金属有机化合物汽相淀积  反射各向异性谱   RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长(英文) 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2011, 期号: 12, 页码: 1297-1302 作者:  张金龙;  曾玉刚;  张星;  宁永强 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2013/03/11 外延生长  金属有机化合物汽相淀积  反射各向异性谱   利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2011, 期号: 06, 页码: 612-616 作者:  缪国庆 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/11 In0.82Ga0.18As  金属有机化学气相淀积  缓冲层   碳纳米管场发射阴极的制备及其场发射特性 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2008, 期号: 6 作者:  蒋红;  缪国庆;  缪国庆;  宋航;  赵海峰 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/09/25 碳纳米管  场发射阴极  银台阵列  电泳淀积  电化学淀积   关于黄土碳酸盐与气候环境关系探讨 期刊论文  OAI收割 云南地理环境研究, 2007, 期号: 3, 页码: 7-10+14 作者:  张西营;  周笃珺 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/12 黄土  碳酸盐  降水量  CaCO_3淀积层  连续淀积  不连续淀积   氧气吸附对碳纳米管电子特性的影响 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2007, 期号: 6 作者:  吴军;  黄钦文;  叶甜春;  陈永胜;  陈大鹏   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/05/26 碳纳米管  吸附  氧化  气体传感器  化学气相淀积   X-波段混合集成平衡I-Q矢量调制器 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 期号: 06 田为中; 钱蓉; 喻筱静; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/06 CdS纳米晶薄膜  化学浴淀积法  紫外可见光吸收谱   铝酸锂晶体生长及其上宽禁带半导体薄膜制备研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007 作者:  邹军 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/11/28 LiAlO2晶体  ZnO薄膜  非极性GaN薄膜  脉冲激光淀积法  MOCVD   MEMS中的簿膜制造技术 期刊论文  OAI收割 电子工业专用设备, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  董立军;  陈大鹏;  欧毅;  黄钦文;  石莎莉   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 微机电系统  薄膜淀积  Pvd  Cvd  电镀  物理淀积