机构

• 微电子研究所 [3]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2005 [1]
• 2000 [1]
• 1997 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 会议论文  OAI收割 第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012 作者:  余学峰 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/11/10 SOI  超深亚微米  寄生双极效应  背栅晶体管  沟道长度  热载流子效应   0．1μm槽栅CMOS器件及相关特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 4，532-535 作者:  张晓菊;  孙宝刚;  郝跃;  任红霞;  马晓华   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/26 槽栅结构  Cmos  超深亚微米   深亚微米栅HFET器件工艺研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4，193-196 作者:  和致经;  郑英奎   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/25 混合曝光  Hfet  T型栅  工艺研究  深亚微米栅   用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 1997, 期号: 6, 页码: 4，47-50 作者:  钱鹤;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/25 Hemt器件  移相光刻  准分子激光  深亚微米栅