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机构
新疆理化技术研究所 [9]
国家空间科学中心 [1]
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OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [7]
学位论文 [3]
发表日期
2021 [1]
2020 [1]
2019 [1]
2016 [2]
2015 [1]
2012 [1]
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学科主题
空间环境 [1]
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NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
OAI收割
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
赵京昊
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浏览/下载:114/0
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提交时间:2019/07/15
电离总剂量辐射
热载流子效应
栅氧经时击穿
负偏置温度不稳定性
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
王帆
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浏览/下载:166/0
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提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
测试方法
辐射效应
电离总剂量效应
位移损伤效应
Rts噪声
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
汪波
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2016/09/27
Cmos图像传感器
钳位光电二极管
电离总剂量效应
位移损伤效应
抗辐射加固
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
作者:
汪波
;
李豫东
;
郭旗
;
刘昌举
;
文林
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2015/03/25
电离总剂量辐射效应
CMOS有源像素传感器
饱和输出信号
像素单元结构
LOCOS隔离
应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2012, 期号: 7, 页码: 562-566
作者:
张乐情
;
郭旗
;
李豫东
;
卢健
;
张兴尧
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提交时间:2012/11/29
电荷耦合器件
辐射效应
现场可编程门阵列
通用测试电路
电离总剂量
三端稳压器的总剂量效应
期刊论文
OAI收割
核技术, 2010, 期号: 6, 页码: 465-468
作者:
王义元
;
陆妩
;
任迪远
;
郑玉展
;
高博
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提交时间:2012/11/29
三端稳压器
电离辐射
总剂量效应
电子元器件电离辐射试验结果与分析
期刊论文
OAI收割
现代测量与实验室管理, 2009, 期号: 5, 页码: 17-18
张龙
;
唐萍
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提交时间:2014/04/30
电离辐射
总剂量效应
失效率
可靠度
辐射设计余量
大规模存储器电离辐射试验方法
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2005, 期号: 5, 页码: 489-492
作者:
匡治兵
;
郭旗
;
吾勤之
;
任迪远
;
陆妩
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提交时间:2012/11/29
测试方法
电离辐射
总剂量效应
存储器