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	8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文）期刊论文 OAI收割原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者: 傅婧1,2,3; 李豫东1,2; 冯婕1,2; 文林1,2; 郭旗1,2 \| 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器钳位光电二极管质子辐照电离总剂量位移损伤剂量
	变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响期刊论文 OAI收割原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1122-1126 作者: 姚帅; 陆妩; 于新; 李小龙; 王信 \| 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2019/06/21 变温辐照方法双极电压比较器电离总剂量单粒子瞬态偏置状态协同效应
	正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 李占行 \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2017/09/26 晶格失配位移损伤效应位移损伤剂量非电离能损辐照退化
	质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响期刊论文 OAI收割红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40 作者: 汪波; 文林; 李豫东; 郭旗; 汪朝敏; 王帆; 任迪远; 曾骏哲; 武大猷; 郭旗; 李豫东; 文林收藏 \| 浏览/下载：89/0 \| 提交时间：2016/06/02 电荷耦合器件高能粒子辐照饱和输出电压电离总剂量效应
	质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析期刊论文 OAI收割物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 257-263 作者: 文林; 李豫东; 郭旗; 任迪远; 汪波收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2015/03/04 电荷耦合器件质子辐照电离效应位移损伤
	质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析会议论文 OAI收割中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者: 文林 \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2018/06/04 Ccd 质子辐照电离效应位移损伤体缺陷
	CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究会议论文 OAI收割中国甘肃兰州, 2014-08-13 作者: 玛丽娅; 李豫东; 郭旗; 刘昌举; 文林 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2018/06/05 Cmos有源像素传感器电子辐照电离效应暗电流氧化物陷阱电荷界面态缺陷
	大气遥感远紫外光谱仪绝对光谱辐照度响应度定标方法研究期刊论文 OAI收割光谱学与光谱分析, 2013, 期号: 01, 页码: 246-249 作者: 于磊; 林冠宇; 陈斌收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2014/03/07 电离层远紫外光谱仪光谱辐照度辐射定标
	国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究期刊论文 OAI收割核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 3，613-615 作者: 刘刚; 蔡小五; 韩郑生; 陆江; 王立新 \| 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2010/05/27 Vdmos 总剂量电离辐照功率mosfet