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	金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜期刊论文 OAI收割物理学报, 1996, 期号: 10, 页码: 8 作者: 孙力; 陈延峰; 于涛; 闵乃本; 姜晓明收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2015/12/25 铁电薄膜摇摆曲线择优取向重掺杂硅单晶多晶薄膜薄膜质量钛酸铅外延生长铁电性能化学计量比
	掺氮中子擅变区熔硅单晶的制备成果 OAI收割院科技进步奖: 一等奖, 1988 梁骏吾; 邓礼生; 郑红军; 黄大定; 栾洪发收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/04/13 硅单晶
	硅中氧沉淀的高分辨电镜研究期刊论文 OAI收割科学通报, 1987, 期号: 15, 页码: 1198-1199 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌收藏 \| 浏览/下载：27/0 \| 提交时间：2012/04/12 高分辨电镜研究:6353 方法研究:4669 氧沉淀:4372 集成电路工艺:2400 直拉硅单晶:2231 预先热处理:1658 沉淀速率:1325 硅中氧:1179 有害杂质:1139 新技术:875
	硅单晶次缺陷图集成果 OAI收割北京市科技进步奖: 二等奖, 1987 张一心; 蔡田海; 高维滨收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/04/13 硅单晶
	中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究期刊论文 OAI收割半导体学报, 1986, 期号: 1, 页码: 78-84 作者: 熊兴民收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2015/12/25 中子辐照正电子湮没等时退火硅单晶区熔双空位退火温度基块空位缺陷悬键
	氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量期刊论文 OAI收割核技术, 1982, 期号: 6, 页码: 66-68 作者: 季国坤; 黄懋容; 刘年庆收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2015/12/25 硅单晶中子辐照参数表示晶体生长过程总计数间隙原子用正加热处理化学抛光机械抛光
	硅单晶中铜沉淀物的几何形态期刊论文 OAI收割物理学报, 1980, 期号: 7, 页码: 860-866 巴图,何怡贞收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2012/04/12 蚀沟:6687 铜沉淀物:4692 硅单晶:3550 红外显微镜:3077 几何形态:2088 观察面:1916 针状沉淀:1082 交线:865 深蚀:817 观察到:745
	硅晶体中单个位错的运动期刊论文 OAI收割物理学报, 1980, 期号: 6, 页码: 698-705 巴图,何怡贞收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2012/04/12 单个位错:6260 硅晶体:3980 位错环:2905 位错运动:2695 扩展位错:2638 半位错:2381 弯结:2255 分解切应力:2230 运动速度:2043 硅单晶:1542
	从熔体中生长金属和半导体单晶技术的进展期刊论文 OAI收割科学通报, 1965, 期号: 06 王渭源; 徐元森收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2012/04/19 锗单晶:4737 晶体生长机理:4336 溶液中生长晶体:3855 熔体:3443 体单晶:2931 单晶生长:2227 硅单晶:2185 半导体:2165 籽晶:2143 金属单晶:2099