机构

• 上海微系统与信息技术... [4]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2003 [2]
• 2001 [1]
• 1998 [1]
• 1987 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 SOI技术的发展动态 会议论文  OAI收割 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会, 2003 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2012/01/18 SOI技术 硅材料 硅集成电路   新一代硅——SOI技术的发展动向 会议论文  OAI收割 2003中国集成电路产业发展战略研讨会暨中国半导体行业协会IC分会年会, 2003 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/01/18 半导体技术 集成电路 硅材料 SOI技术   硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2001 多新中 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2012/03/06 硅集成电路  SOI技术  离子注入  物理效应  加速度传感器   硅中氢、氦离子注入纳米孔层的形成及其应用：Smart-cutSOI及吸杂 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海冶金研究所）  , 1998 张苗 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/06 SOI技术  硅集成电路技术  低功耗电路   硅中氧沉淀的高分辨电镜研究 期刊论文  OAI收割 科学通报, 1987, 期号: 15, 页码: 1198-1199 肖治纲,蔺锡伟,柯俊,秦禄昌 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/12 高分辨电镜研究:6353  方法研究:4669  氧沉淀:4372  集成电路工艺:2400  直拉硅单晶:2231  预先热处理:1658  沉淀速率:1325  硅中氧:1179  有害杂质:1139  新技术:875