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机构
上海微系统与信息技术... [7]
长春光学精密机械与物... [1]
上海技术物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [6]
学位论文 [3]
发表日期
2017 [1]
2009 [2]
2008 [5]
1989 [1]
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共9条,第1-9条
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替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 2, 页码: 186-190
作者:
赵真典
;
陈路
;
傅祥良
;
王伟强
;
沈川
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2018/11/20
碲镉汞
红外焦平面
长波
替代衬底
暗电流
基于神经网络的自适应动态电源管理模型
期刊论文
OAI收割
华中科技大学学报(自然科学版), 2009, 期号: 01
姜连祥
;
许培培
;
杨根庆
;
李华旺
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/06
高压器件
扩展漏端MOS
衬底电流
热载流子注入
深亚微米高压集成电路中LDMOS的建模与工艺集成
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2009
王磊
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2012/03/06
高压器件
LDMOS
准饱和效应
双峰衬底电流
高速MEMS扫描微镜动态变形特性研究
期刊论文
OAI收割
传感技术学报, 2008, 期号: 04
穆参军
;
赵本刚
;
吴亚明
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
高压器件
衬底电流
可靠性
同步辐射的基本知识 第一讲 同步辐射光源的原理、构造和特征(续)
期刊论文
OAI收割
理化检验(物理分册), 2008, 期号: 02
杨传铮
;
程国峰
;
黄月鸿
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/01/06
高压器件
衬底电流
优化工艺
纳米相变存储技术研究进展
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 01
宋志棠
;
刘波
;
封松林
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/01/06
衬底电流
双强电场模型
衬底电流公式
热载流子注入
先进集成电路器件可靠性-高压N型器件热载流子效应和先进表征技术
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
戴明志
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浏览/下载:89/0
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提交时间:2012/03/06
热载流子注入
高压器件双强电场模型
衬底电流公式
退化公式
寿命公式
深亚微米高压集成电路中LDMOS的制造与工艺集成
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
王俊
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2012/03/06
高压器件
LDMOS
LCD驱动电路
衬底电流
无缝整合
TS结构半导体激光器的侧向扩展电流分布及波导分析模型
期刊论文
OAI收割
河北工学院学报, 1989, 期号: 03, 页码: 88-95
陈国鹰
;
刘文杰
;
张兴德
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/03/11
梯台衬底(Terraced substrate)
侧向扩展电流(Lateral spread current)
稳态特性(Stationary characteristics)