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OAI收割 [24]
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2014 [1]
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光电子学 [1]
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半导体物理 [1]
红外基础研究 [1]
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反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄文军
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提交时间:2018/05/28
Inas/gasb二类超晶格
反转型量子阱结构
电子迁移率
异质结光电晶体管
双色
图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
张璐
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提交时间:2017/06/01
Si
GaN
湿法腐蚀
MOCVD
半极性面
多量子阱
正装结构LED
2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb双波导半导体激光器的结构设计
期刊论文
OAI收割
光子学报, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 0914001
作者:
安宁
;
韩兴伟
;
刘承志
;
范存波
;
董雪
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/12/06
半导体激光器
InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱
双波导结构
低垂直发散角
数值模拟
HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院大学, 中国科学院大学, 2014, 2014
作者:
庞蜜
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提交时间:2014/05/28
HgTe/CdTe 量子阱
InAs/GaSb超晶格
InAs/GaSb耦合量子阱
二维拓扑绝缘体
窄禁带半导体
电子态结构
磁光吸收谱
Hgte/cdte 量子阱
Inas/gasb超晶格
Inas/gasb耦合量子阱
二维拓扑绝缘体
窄禁带半导体
电子态结构
磁光吸收谱
铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 期号: 04
朱大鹏
;
罗乐
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提交时间:2012/01/06
量子阱结构
半导体激光器
带间跃迁
甚长波量子阱红外探测器的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
熊大元
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提交时间:2012/08/14
甚长波量子阱红外探测器
峰值探测波长
工作模式
光耦合
光吸收
暗电流
光电流谱
双势垒共振隧穿二极管结构
工作温度
量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响
期刊论文
OAI收割
稀有金属, 2007, 期号: S2
陆敏
;
杨志坚
;
潘尧波
;
陆羽
;
陈志忠
;
张国义
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提交时间:2010/01/15
紫光二极管
MOCVD
GaN
量子阱结构
量子阱红外探测器及相关量子器件的研究进展
期刊论文
OAI收割
红外, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 10-14
作者:
熊大元
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提交时间:2011/08/30
纳米结构
量子阱
子带间跃迁
Qwip
先进透射电子显微表征技术的应用研究
学位论文
OAI收割
硕士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2006
吴波
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浏览/下载:279/0
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提交时间:2012/04/10
透射电子显微表征技术
扫描透射-高角环形暗场成像
高空间分辨率成分分析
形变结构
量子阱
调制衬度
室温低阈值分布反馈量子级联激光器
会议论文
OAI收割
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006
徐刚毅
;
李爱珍
;
李耀耀
;
魏林
;
张永刚
;
李华
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提交时间:2012/01/18
分布反馈 量子级联激光器 三阱耦合 垂直跃迁 光发射结构 单模激射 波导