机构

• 微电子研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [2]
• 2004 [1]
• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 具有加长LDD结构的高压CMOS器件 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 7,246_252 作者:  杜寰;  王晓慧;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 高压cmos器件  加长ldd结构  击穿电压   100V高压CMOS工艺关键技术的研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1900-1905 作者:  韩郑生;  宋李梅;  李桦;  杜寰;  夏洋   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 高压cmos工艺  双栅氧工艺  兼容性   场发射平板显示高低压电平转换电路 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 822-826 作者:  杜寰;  宋李梅;  李桦;  夏洋   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 场发射  电平转换电路  高压cmos  驱动电路  高低压兼容   双栅氧CMOS工艺研究 期刊论文  OAI收割 微电子学与计算机, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 3，5-6,9 作者:  李桦;  宋李梅;  杜寰;  韩郑生   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/05/26 双栅氧工艺  高压cmos流程   用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 6，678-683 作者:  宋李梅;  李桦;  韩郑生;  杜寰   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/26 显示驱动  高压cmos器件  0．81μm Cmos工艺  模拟   薄栅氧高压CMOS器件研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 568-572 作者:  韩郑生;  刘奎伟;  陈则瑞;  于洋;  仙文岭   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/05/26 0．5μm  高压cmos  高低压兼容  Cmos工艺  驱动电路   兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 5，758-762 作者:  饶竞时;  刘奎伟;  韩郑生;  钱鹤;  陈则瑞   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/05/25 高压cmos  0．5μm  兼容工艺  模拟