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浏览/检索结果: 共44条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Wide wavelength tuning on F-4(3/2) -> I-4(13/2) transitions from Nd:ScYSiO5 laser 期刊论文  OAI收割 OPTICS AND LASER TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 111, 页码: 770 作者:  Dong, Lulu;  Wang, Qiangguo;  Yao, Yongping;  Liu, Shande;  Zhang, Huiyun   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2019/12/26 1.3 mu m tunable laser  Nd:SYSO crystal  Multi-wavelength oscillations  Birefringent filter   Controlled optical properties of GaSb/InGaAs type-II quantum dots grown on InP substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 25 Zhang, SH; Wang, L; Shi, ZW; Tian, HT; Gao, HJ; Wang, WX; Chen, H; Li, HT; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  1.3 MU-M  SURFACE  NANOSTRUCTURES  LASER  RINGS  SIZE   High-power 880-nm diode-directly-pumped passively mode-locked Nd:YVO4 laser at 1342 nm with a semiconductor saturable absorber mirror 期刊论文  OAI收割 OPTICS LETTERS, 2011, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1485 Li, FQ; Liu, K; Han, L; Zong, N; Bo, Y; Zhang, JY; Peng, QJ; Cui, DF; Xu, ZY 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 NDYVO4 LASER  1.3-MU-M  ND-YVO4  ND  1.34-MU-M   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   Comparative Study on InAs/InGaAs Dots-in-a-Well Structure Grown on GaAs(311) B and (100) Substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7359 Wang, L; Li, MC; Xiong, M; Wang, WX; Gao, HC; Zhao, LC 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 ASSEMBLED QUANTUM DOTS  1.3 MU-M  LASERS  (311)B   Self-heating effect in 1.3 mu m p-doped InAs/GaAs quantum dot vertical cavity surface emitting lasers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 6, 页码: art. no. 063107 Xu DW; Tong CZ; Yoon SF; Zhao LJ; Ding Y; Fan WJ 收藏  |  浏览/下载：138/19  |  提交时间：2010/04/28 gallium arsenide  III-V semiconductors  indium compounds  quantum dot lasers  surface emitting lasers  DEPENDENT OUTPUT CHARACTERISTICS  SEMICONDUCTOR-LASERS  1.3-MU-M  VCSELS  WELL  CONFINEMENT  POWER   Diode-side-pumped Nd:YAG laser at 1338 nm 期刊论文  OAI收割 Optics Letters, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 1495-1497 G. Zhang, H. Y. Zhu, C. H. Huang, J. Chen, Y. Wei and L. X. Huang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/06 nd-yag laser  mu-m  power  operation  1.3-mu-m  nd-yalo3  nd-yvo4   Effect of the GaAs/GaSb combination strain-buffer layer on self-assembled InAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 471 Jiang, ZW; Wang, WX; Gao, HC; Li, H; He, T; Yang, CL; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  1.3 MU-M  GAAS  ISLANDS  GROWTH   Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251111-251111 Li, SG; Gong, Q; Lao, YF; Yang, HD; Gao, S; Chen, P; Zhang, YG(张永刚）; Feng, SL; Wang, HL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 1.3 MU-M  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  OPERATION  INP   Photoluminescence of Charged Low-Density InAs/GaAs Quantum Dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107801 Wang HL (Wang Hai-Li); Xiong YH (Xiong Yong-Hua); Huang SS (Huang She-Song); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); He ZH (He Zhen-Hong); Dou XM (Dou Xiu-Ming); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：124/22  |  提交时间：2010/03/08 1.3 MU-M