机构

• 物理研究所 [5]
• 金属研究所 [1]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [2]
• 2008 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN-based PIN alpha particle detectors 期刊论文  OAI收割 Nucl. Instr. and Meth. A, 2012, 卷号: 663, 期号: 1, 页码: 10-13 作者:  Kai Fu(付凯) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN  PIN  Alpha particle detection   alpha- to gamma-Al(2)O(3) martensitic transformation induced by pulsed laser irradiation 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 11, 页码: 3867-3876 P. F. Yan; K. Du; M. L. Sui 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 Martensitic phase transformation  Ceramics  High-resolution electron  microscopy  Twinning  Alumina  sapphire alpha-al2o3  phase-transformation  basal slip  epsilon  transformation  single-crystals  gamma-alumina  gan  growth  films  dislocations   Wing tilt investigations on GaN epilayer grown on maskless grooved sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2010, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 1503 Yu, NS; Zhu, XL; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/23 VAPOR-PHASE EPITAXY  LATERAL OVERGROWTH  THIN-FILMS  ALPHA-GAN  MICROSCOPY   A buffer layer for ZnO film growth on sapphire 期刊论文  OAI收割 SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 602, 期号: 14, 页码: 2600 Zheng, K; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ASSISTED MBE GROWTH  IRON-OXIDE LAYERS  THIN-FILMS  GAN  ALPHA-AL2O3(0001)  HETEROEPITAXY  SUBSTRATE  QUALITY   Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5450 Qin, Q; Yu, NS; Guo, LW; Wang, Y; Zhu, XL; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  PLANE SAPPHIRE  OVERGROWN GAN  ALPHA-GAN  LAYERS  SUBSTRATE  ALN   Role of gallium wetting layer in high-quality ZnO growth on sapphire(0001) substrates 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES G-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2004, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 612 Zeng, ZQ; Wang, Y; Du, XL; Mei, ZX; Kong, XH; Jia, JF; Xue, QK; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  POLARITY DEPENDENCE  GAN  FILMS  TERMINATION   Effect of sapphire substrate nitridation on the elimination of rotation domains in ZnO epitaxial films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 21, 页码: 3058 Ying, MJ; Du, XL; Mei, ZX; Zeng, ZQ; Zheng, H; Wang, Y; Jia, JF; Zhang, Z; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 ALPHA-AL2O3(0001) SURFACE  BUFFER LAYER  GROWTH  GAN  TERMINATION   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1055/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS