机构

• 微电子研究所 [4]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2003 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 微电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN  高电子迁移率晶体管  常关型  选区二次外延   高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983 作者:  王晓亮;  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率晶体管  微波功率  功率增益   AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 298-303 作者:  邵雪;  余志平;  谢常青;  马杰;  鲁净   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan高电子迁移率晶体管  二维模型与模拟  极化电荷  量子效应   输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 6，1865-1870 作者:  李晋闽;  王晓亮;  刘新宇;  胡国新;  王军喜   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/05/26 Algan／gan  高电子迁移率晶体管  Mocvd  功率器件   MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488 作者:  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/25 分子束外延  Algan／gan  高电子迁移率晶体管  氮化镓  功率器件  场效应晶体管