机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [3]
• 2009 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/12 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  Algan epilayers   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 Island nucleation  Raman scattering  Si (111) substrate  AlGaN epilayers   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：57/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Growth and Characteristics of Epitaxial AlxGa1-xN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 6 Zhang, J; Guo, LW; Chen, Y; Xu, PQ; Ding, GJ; Peng, MZ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  HIGH AL CONTENT  OPTICAL-PROPERTIES  PHASE EPITAXY  ALGAN  TEMPERATURE  ALLOYS  FILMS  EPILAYERS