机构

• 半导体研究所 [6]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2018 [1]
• 2011 [4]
• 2008 [2]
• 2005 [1]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文  OAI收割 ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704 作者:  Feng, Meixin;  Li, Zengcheng;  Wang, Jin;  Zhou, Rui;  Sun, Qian   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/09/17 Ultraviolet lasers  Aluminum alloys  Aluminum gallium nitride  Aluminum nitride  Defects  Gallium alloys  III-V semiconductors  Lasers  Lattice mismatch  Quantum well lasers  Semiconductor alloys  Semiconductor quantum wells  Stresses  Thermal expansion   Growth of gan film on si (111) substrate using aln sandwich structure as buffer 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan, Xu;  Wei, Meng;  Yang, Cuibai;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/12 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan, Xu;  Wei, Meng;  Yang, Cuibai;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon   Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003 Bi, Yang; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Wang, Cuimei; Yang, Cuibai; Peng, Enchao; Lin, Defeng; Feng, Chun; Jiang, Lijuan, 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/06/14 Aluminum  Electron mobility  Gallium nitride  High electron mobility transistors  Indium  Poisson equation  Polarization  Two dimensional electron gas   Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：92/5  |  提交时间：2011/07/05 Sandwich structure  Stress  Aluminum nitride  Gallium nitride  Silicon  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  WURTZITE ALN  SILICON  STRESS  TRANSISTORS  EPITAXY  LAYERS   The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Guo, Lunchun;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride crack  Low temperature aluminum nitride  Interlayer  Silicon   The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159 Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：96/1  |  提交时间：2010/03/08 gallium nitride crack  low temperature aluminum nitride  interlayer  silicon   Route to GaN and VN assisted by carbothermal reduction process 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2005, 卷号: 127, 期号: 45, 页码: 15722 Zhao, HZ; Lei, M; Yang, X; Jian, JK; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/24 CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  CARBON NITRIDES  GALLIUM NITRIDE  METATHESIS REACTIONS  ALUMINUM NITRIDE  PRECURSOR  PRESSURE  COATINGS   Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  BAND-GAPS  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ALUMINUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  GROWTH  INSULATORS  CRYSTALS  SILICON  DIAMOND