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• 上海微系统与信息技术... [6]

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内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]
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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Characterization and analysis of silicon on insulator fabricated by separation by implanted oxygen layer transfer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 163-168 Wei,X; Wu,AM; Wang,X; Li,XY; Ye,F; Chen,J; Chen,M; Zhang,B; Li,CL; Zhang,M; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 LOW-DOSE SEPARATION  PSEUDO-MOS TRANSISTOR  BURIED OXIDE LAYERS  THERMAL-OXIDATION  WAFERS  SOI  FILM  SOICMOS   Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B; Wu, AM; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B（重点实验室）; Wu, AM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/05/10 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 37, 期号: 13, 页码: 1732-1735 Dong, YM; Chen, M; Chen, J; Wang, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  ION-IMPLANTATION  SILICON  OXIDATION   Fabrication of device-grade silicon-on-insulator material from appropriate matches of low oxygen implantation dose and acceleration energy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2003, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 2001-2010 Chen, M; Wang, X; Chen, J; Dong, YM; Yi, WB; Liu, XH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 OXIDATION ITOX PROCESS  BURIED OXIDE LAYERS  SIMOX WAFERS  ION-IMPLANTATION  TEMPERATURE  SEPARATION   Fabrication of device-grade separation-by-implantation-of-oxygen materials by optimizing dose-energy match 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2002, 卷号: 17, 期号: 7, 页码: 1634-1643 Chen,M; Yu,YH; Wang,X; Wang,X; Chen,J; Liu,XH; Dong,YM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE  ION-IMPLANTATION  SIMOX  SILICON  LAYERS  TEMPERATURE  WAFERS