机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2010 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [3]
• 2002 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 光电子学 [2]
• 半导体物理 [2]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802 Guo X (Guo Xi); Wang H (Wang Hui); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/02 InGaN  In-plane grazing incidence x-ray diffraction  reciprocal space mapping  biaxial strain  CRITICAL LAYER THICKNESS  OPTICAL-PROPERTIES  LATTICE-CONSTANTS  GAN  HETEROSTRUCTURES  ALLOYS  WELLS   Study of band structure InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells by high-resolution electron microscopy and electron holography 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 4 Lu, W; Li, CR; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/24 CRITICAL LAYER THICKNESS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAN  INTERFACES  DENSITY  STRAIN   Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 CRITICAL LAYER THICKNESS  GAN  HETEROSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  SUBSTRATE  DEFECTS  FILMS   High-indium-content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25 mu m at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5100-5102 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：229/54  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS   Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：305/45  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS   Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371 Lu LW; Zhang YH; Xu ZT; Xu ZY; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：110/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum well  rapid thermal annealing  electron emission  DX centers  CRITICAL LAYER THICKNESS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Effects of growth temperature on highly mismatched InAs grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 38-42 Wang HM; Fan TW; Wu J; Zeng YP; Dong JR; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRITICAL LAYER THICKNESS  THREADING DISLOCATIONS  OVAL DEFECTS  HETEROSTRUCTURES  INXGA1-XAS  ENERGY  SI