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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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  |  
Elastic and thermodynamic properties of c-BN from first-principles calculations
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 217-222
Y. J. Hao
;
Y. Cheng
;
Y. J. Wang
;
X. R. Chen
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  |  
First-principles calculations of elastic constants of c-BN
期刊论文
OAI收割
Physica B-Condensed Matter, 2006, 卷号: 382, 期号: 1-2, 页码: 118-122
Y. J. Hao
;
X. R. Chen
;
H. L. Cui
;
Y. L. Bai
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  |  
Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth
期刊论文
OAI收割
PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371
Bakhtizin, RZ
;
Xue, QZ
;
Xue, QK
;
Wu, KH
;
Sakurai, T
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  |  
Design of high brightness cubic-gan leds grown on gaas substrate
期刊论文
iSwitch采集
Journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 页码: S753-s756
作者:
Sun, YP
;
Shen, XM
;
Zhang, ZH
;
Zhao, DG
;
Feng, ZH
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  |  
Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13
Shen XM
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
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  |  
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
OAI收割
11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002
作者:
Zhao DG
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  |  
Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
期刊论文
OAI收割
journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s753-s756
作者:
Zhao DG
收藏
  |  
X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM
;
Wang YT
;
Zheng XH
;
Zhang BS
;
Chen J
;
Feng G
;
Yang H
收藏
  |  
Ecr plasma in growth of cubic gan by low pressure mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174
作者:
Gu, B
;
Xu, Y
;
Qin, FW
;
Wang, SS
;
Sui, Y
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