机构

• 半导体研究所 [4]
• 力学研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 理论物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2017 [1]
• 2014 [1]
• 2012 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [2]

学科主题

• Physics [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The stress-velocity relationship of twinning partial dislocations and the phonon-based physical interpretation 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2017, 卷号: 60, 期号: 11 作者:  Wei YJ(魏宇杰);  Peng SY(彭神佑);  Wei, YJ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mechan, State Key Lab Nonlinear Mech LNM, Beijing 100190, Peoples R China.;  Wei, YJ (reprint author), Univ Chinese Acad Sci, Sch Engn Sci, Beijing 100049, Peoples R China. 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/12/18 Dislocation Mobility  Transverse And Longitudinal Phonons  Subsonic And Supersonic Velocity  Stress-velocity Relationship  Molecular Dynamics   Creeping Motion of Self Interstitial Atom Clusters in Tungsten 期刊论文  OAI收割 SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 卷号: 4, 期号: -, 页码: 5096 作者:  Zhou, WH;  Zhang, CG;  Li, YG;  Zeng, Z 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/06/03 DISLOCATION LOOPS  TRANSITION-METALS  COLLISION CASCADES  DEFECT PRODUCTION  MOBILITY  ENERGY  DIFFUSION  IRON   Effect of alloying element on dislocation cross-slip in gamma '-Ni3Al: a first-principles study 期刊论文  OAI收割 Philosophical Magazine, 2012, 卷号: 92, 期号: 32, 页码: 4028-4039 X. X. Yu; C. Y. Wang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/02/05 density functional theory  dislocation mobility  electronic structure  plastic flow properties  anomalous yield behavior  augmented-wave method  atomistic simulations  fault energies  ni3al alloys  nickel  superalloys  ternary   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Liu, Jianming;  Wei, Hongyuan 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Carrier density  Carrier mobility  Dislocation density  Dislocation scattering  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Semiconductor heterojunctions  Wide band gap semiconductors   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：245/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Dislocation scattering in alxga1-xn/gan heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Han, Xiuxun;  Yuan, Hairong;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Dislocation density  Electron mobility  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Interface roughness  Semiconductor heterojunctions  Two-dimensional electron gas  Wide band gap semiconductors   Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111 Xu, XQ; Liu, XL; Han, XX; Yuan, HR; Wang, J; Guo, Y; Song, HP; Zheng, GL; Wei, HY; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  dislocation density  electron mobility  gallium compounds  III-V semiconductors  interface roughness  semiconductor heterojunctions  two-dimensional electron gas  wide band gap semiconductors