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上海微系统与信息技术... [2]
半导体研究所 [2]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2001 [1]
1994 [1]
1992 [2]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
Crystallog... [1]
Physics, A... [1]
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共5条,第1-5条
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Properties of deep levels and photorefractive effect in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown in low temperature
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 117
Huang, Q
;
Guo, LW
;
Zhang, MH
;
Zhang, YF
;
Han, YJ
;
Zhou, JM
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/09/24
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SPATIAL LIGHT MODULATORS
DEFECT
TRAP
EL2
THEORETICAL INVESTIGATION OF THE DYNAMIC PROCESS OF THE ILLUMINATION OF GAAS
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1994, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 5189-5195
REN GB
;
WANG ZG
;
XU B
;
BING Z
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/11/15
SPIN-RESONANCE SIGNAL
ASGA ANTISITE DEFECT
METASTABLE EL2
GROWN GAAS
PHOTOCONDUCTIVITY
PHOTORESPONSE
PHOTOCURRENT
SPECTRUM
RECOVERY
PHOTOBEHAVIOR OF PARAMAGNETIC ANION ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1992, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: 1323-1326
BENCHIGUER, T
;
MARI, B
;
SCHWAB, C
;
WU, J
;
WANG, GY
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2012/03/25
SEMI-INSULATING GAAS
EPITAXIAL GAAS
DEFECTS
DEFORMATION
DISLOCATIONS
CRYSTALS
BULK
EL2
THE NATURE OF AS-RELATED DEFECTS IN SEMIINSULATING GAAS BULK CRYSTALS
期刊论文
OAI收割
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 1992, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 373-379
MO, PG
;
WU, J
;
FAN, XQ
;
ZHU, J
;
ZHOU, YD
;
TAN, HZ
收藏
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2012/03/25
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GAAS
STRESS-STRAIN MODEL
CHEMICAL PRINCIPLES
ARSENIC PRESSURE
LEC GAAS
EL2
IDENTIFICATION
WAFERS
SEMICONDUCTOR
ON THE FORMATION OF THE SBGA HETEROANTISITE IN METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL GAAS-SB
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 1991, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 1323-1325
YAKIMOVA R
;
OMLING P
;
YANG BH
;
SAMUELSON L
;
FORNELL JO
;
LEDEBO L
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-PROPERTIES
DEFECT
EL2
IDENTIFICATION
CRYSTALS
SYSTEM
BULK