机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 西安光学精密机械研究... [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2023 [1]
• 2022 [2]
• 2015 [1]
• 2010 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth strategy for construction of Tm3+ doped and [hk1] oriented Sb2S3 nanorods S-scheme heterojunction with enhanced photoelectrochemical performance 期刊论文  OAI收割 Chemical Engineering Journal, 2023, 卷号: 475 作者:  Liu, Xinyang   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2023/10/30 S-scheme heterojunction  Fermi level pinning  Doping strategy  Epitaxial growth  Photoelectrochemical performance   High-performance gold/graphene/germanium photodetector based on a graphene-on-germanium wafer 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2022, 卷号: 33, 期号: 34, 页码: 7 作者:  Jiang, Haiyan;  Li, Bo;  Wei, Yuning;  Feng, Shun;  Di, Zengfeng   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2022/07/14 graphene  germanium  2D material  Fermi-level pinning  photodetector   Fermi-Level Depinning in Metal/Ge Junctions by Inserting a Carbon Nanotube Layer 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2022, 页码: 7 作者:  Wei, Yu-Ning;  Hu, Xian-Gang;  Zhang, Jian-Wei;  Tong, Bo;  Du, Jin-Hong   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2022/07/14 carbon nanotube films  Fermi-level pinning  germanium  metal-induced gap states  ohmic contacts   Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning   Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103 Yang ZC (Yang Z. C.); Huang AP (Huang A. P.); Zheng XH (Zheng X. H.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Liu XY (Liu X. Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Chu PK (Chu Paul K.); Wang WW (Wang W. W.) 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/11/14 Electron state density  Fermi-level pinning (FLP)  MIS structures  work function (WF)  WORK FUNCTION   Photoemission study of chemisorption and fermi-level pinning at k/gaas(100) interface with synchrotron radiation 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2005, 卷号: 249, 期号: 1-4, 页码: 340-345 作者:  Sun, MH;  Zhao, TX;  Jia, CY;  Xu, PS;  Lu, ED 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray photoelectron spectroscopy  Fermi-level pinning  Schottky barrier