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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6 作者:  Ye, Bing;  Mo, Li-Hua;  Zhai, Peng-Fei;  Cai, Li;  Liu, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/12/09 Flash memories  Linear energy transfer  Single-event upset  Heavy ions  Geant4   Heavy-ion induced radiation effects in 50 nm NAND floating gate flash memories 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 102, 页码: 6 作者:  Yin, Ya-nan;  Liu, Jie;  Liu, Tian-qi;  Ye, Bing;  Ji, Qing-gang   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2022/01/19 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Retention errors  Single event upset   Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103 作者:  Zhao, Pei-Xiong;  Liu, Tian-Qi;  Ye, Bing;  Luo, Jie;  Sun, You-Mei   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2018/10/08 flash memories  heavy ions  synergistic effect  total ionizing dose   Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86 作者:  Hou, Mingdong;  Zhao, Peixiong;  Luo, Jie;  Ji, Qinggang;  Ye, Bing   |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2018/05/31 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Multiple cell upsets  Radiation effects   An adaptive ECC scheme for dynamic protection of NAND Flash memories 会议论文  OAI收割 Brisbane, Australia, 19-24 April 2015 作者:  Yuan L(袁柳);  Liu HD(刘怀达);  Jia PG(贾品贵);  Yang YP(杨一平)   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/06/16 Error Correcting Code  Flash Memories  Adaptive Protection  Software  Bch   Reliability-Based ECC System for Adaptive Protection of NAND Flash Memories 会议论文  OAI收割 Gwalior, 印度, 2015-04-04 - 2015-04-06 作者:  Yuan L(袁柳);  Liu HD(刘怀达);  Jia PG(贾品贵);  Yang YP(杨一平)   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/06/16 Error Correcting Code(Ecc)  Flash Memories  Error Patterns  Reliability  Fault Tolerant   Ferroelectric transition of Aurivillius compounds Bi5Ti3FeO15 and Bi6Ti3Fe2O18 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 96, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Li, J. -B.;  Huang, Y. P.;  Rao, G. H.;  Liu, G. Y.;  Luo, J.   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 aluminium compounds  annealing  energy gap  flash memories  silicon compounds   Ferroelectric transition of Aurivillius compounds Bi(5)Ti(3)FeO(15) and Bi(6)Ti(3)Fe(2)O(18) 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 22 J. B. Li; Y. P. Huang; G. H. Rao; G. Y. Liu; J. Luo; J. R. Chen; J. K. Liang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 aluminium compounds  annealing  energy gap  flash memories  silicon  compounds  diffraction  ceramics  behavior   Investigation of charge trapping/de-trapping induced operation lifetime degradation in triple SuperFlash((R)) memory cell 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2008, 卷号: 48, 期号: 11-12, 页码: 1809-1814 Cao, ZG; Zhang, B; Zhang, X; Lee, E; Kong, WR 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE FLASH MEMORIES  DATA RETENTION  EMBEDDED MEMORY  INJECTION  HIMOS